她得想想怎么回。

而且她还是要了解一下对方是否有按照她误导的方向，有没有做相关的实验，或者说进展如何了。

同时，她还要看看自己在集成电路的方向上到底还缺了什么。

想到这里，时珈一没急着回信，而是拿出笔记本开始一条条的写集成电路的制作必备条件。

第一是圆晶制备，也就是拉9个9的单晶硅，目前知道工艺技术有直拉法和悬浮法，需要自己多做尝试。其中切割、抛光、化学腐蚀等方法已攻略。

理查德说硅的切割难，是因为他们没有用超声波，自己这方面是没有问题的。

第二是热氧化，也就是生长二氧化硅，这个方向理查德已经给了提醒。用石英管高温炉，通入高纯度氧气或水蒸气，具体温度在900-1200度之间，也需要多做尝试温度的准确性。

第三就是光刻，她自己是知道这上面需要涂覆液态光刻胶，并且将画有电路图的玻璃掩模板紧贴在上面，用紫外光进行曝光。曝光后的光刻胶发生性质改变，放入显影液中洗去未曝光部分，露出需要掺杂的二氧化硅窗口。

但这个过程很容易产生污染，并且光刻胶本身的分辨率有限，所以她要解决的是洁净室的问题。

时珈一打了个叉，她没有十个亿来解决这个问题。

第四步，扩散掺杂，将光刻好的硅片放入扩散炉，通入含有磷或硼的气体，在高温下让杂质原子穿过窗口渗入硅中，形成n型或p型区，这个步骤她很清楚，也会做，唯一的问题是苏国用的是管式炉扩散，温度波动有点大，导致优良差异大。没关系。有一个能用就行。

第五步是去胶与清洗，扩散完成后，必须去除残留的光刻胶。她记得美帝是用强酸煮沸或有机溶剂浸泡的化学湿法去胶，随后用超纯水冲洗。但容易残留有机物或损伤金属层。

除非.......除非她把60年代出来的等离子去胶技术给攻克了。

但这样又回到了原点，等离子工艺对洁净度要求极高，哪怕一粒灰尘落在晶圆上都会导致报废。

而且.......目前的知识让她对等离子体中“自由基”、“离子轰击”等微观化学反应机理的认识还非常浅薄........

时珈一摇摇头，算了算了，去胶先将就吧。

第六步是光刻与刻蚀，也就是再度光刻，像理查德说的，在需要引出电极的地方开出窗口。

在真空镀膜机中蒸镀铝，利用光刻胶保护电路，用酸液腐蚀掉多余的铝，形成金属导线。

需要掌握真空蒸镀铝工艺和湿法腐蚀工艺。

这个方法苏国已经有了，只是设备比较简陋。

第七步就是封装了，苏国是人工封装，但是时珈一自己之前给国家做过一个焊接工艺，对于密封性而绝对没有对手。

这一步她可以解决。

时珈一写完后，仔细看了看，发现她现在最大的问题，居然是没有钱！

不然完全可以给华国捐一个洁净室！

有了洁净室，她就可以先试着做出一个低配版寿命短的集成电路了......

唉，梦想和现实隔了一条黄金河。

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