听着钱学明丝毫不客气，甚至还有一些瞧不起的话，林默脸上带着笑容，没有一丝一毫生气。
他就喜欢心里有一股傲气的人。
有能力，才傲。
在八十年代的现在，国内做半导体的屈指可数，之前林默都想着在国外挖人了。
现在来看，应该算是有人了。
他微微点了点头，慢悠悠的开口。
“钱先生，我听说您之前在研究所，是因为坚持cmos的技术路线，跟领导闹了矛盾？这才离职了。“
钱学明原本靠在椅背上，听到这话像是被触到了某个敏感的神经，马上回着。
“林厂长消息倒是灵通。“
钱学明的语气里带着一丝不情愿的承认，但随即又变得更加坚定。
“不错，我是坚持cmos路线。”
“现在所里那些领导，就盯着眼前现在的一点产量和订单，觉得双极型和nmos技术成熟，良率高，好出货，就想着一直沿着老路走。”
“他们根本看不到未来，不知道为未来去思考。“
说到这里，钱学明的语气变得激动起来：
“双极型电路什么功耗？”
“一瓦，两瓦，甚至更高，做出来的芯片发热大，集成度低，连个像样的微处理器都做不出来。”
“nmos稍微好一点，但也只是过渡方案，根本不是长久之计。”
“而cmos呢，静态功耗几乎为零，只有开关的那一瞬间才有电流消耗。”
“这意味着同样的电池，用cmos芯片的设备能用十倍以上的时间，意味着可以在一个芯片上集成数万，数十万甚至上百万个晶体管，做出真正复杂的系统！“
“国外一些顶尖的实验室，早就开始转向cmos方向了。”
“小日子的东芝，nec，m国的英特尔，摩托罗拉，都在投入大量资源研究cmos工艺。“
“但是我们国内呢？”
“还在抱着老旧的双极型技术不放，觉得够用就行，不需要新兴的技术。”
“等人家把cmos做成熟了，做出高性能的微处理器，存储器，信号处理器，我们再去追，到时候连车尾灯都看不到了！“
说完，钱学明深吸一口气，靠在椅背上，目光直视着林默，等待回应。
林默没有急着开口，目光平静地看着钱学明，微微点点头，
“钱先生，你刚刚说的这些，我都赞同。“
林默笑呵呵的开口，并没有马上反驳，他太知道cmos工艺在后世是有多么普及了。
“cmos功耗低，集成度高，静态功耗几乎为零，做出来的芯片确实比双极型和nmos更适合大规模集成。”
“理论上，同样的芯片面积，cmos可以集成比nmos多将近一倍的晶体管，这些优势，决定了cmos一定会是未来的主流方向。“
钱学明的眉毛挑了一下，听着如此专业的分析，他眼神里的防备稍稍松了几分。
然而，下一秒，林默话锋一转。
“但是钱先生，作为搞技术的人，不能只看优势，不看问题，cmos有它的优点，但它的缺点同样致命，您怎么解决那些瓶颈？“
“多的我就不说了，我就举几个例子。”
“第一就是速度。“林默一字一句的说道，
“cmos的速度远远比不上ttl电路，双极型晶体管的开关速度天生就快，cmos靠的是电压驱动，充放电过程本身就存在延迟。“
“一个标准cmos反相器的延迟时间在几十纳秒级别，而同样工艺的ttl电路可以做到几纳秒甚至更低。”
“对于需要高速运算的计算机，通讯设备来说，速度慢就是死穴。”
“这个问题如果不解决，cmos永远只能用在手表，计算器这些低功耗但低性能的领域。“
听到这里，钱学明脸色变了变。
林默说的不错，这确实是目前业内最致命的问题之一。
接着，林默没有停顿继续开口：“第二就是栓锁效应。“
“cmos结构里同时存在nmos和pmos两种器件，衬底和阱之间会形成寄生可控硅结构。”
“一旦触发，会导致芯片功能混乱，无法正常工作，严重的甚至会烧毁芯片。”
“这种效应在抗辐照环境下尤其明显，如果用cmos做军用或者航天级芯片，不考虑栓锁效应，那跟自杀没什么区别。“
“第三，制造工艺。“
“cmos需要在同一块衬底上同时制造nmos和pmos两种器件，这意味着掩模层数比nmos多出将近一倍，光刻对准的难度大大增加。”
“对设备的要求更高，对材料纯度的要求也更高，每一步的良率都会下降，这么一来，整体的良率就更低了。”
“我听说国内有些研究所尝试过cmos工艺流片，结果成品率连百分之十都不到，这还怎么做量产？“
说完，林默语气平静地看着钱学明：
“钱先生，上面这三个问题，您怎么解决？“
话音落下，会议室里安静下来。
钱学明坐在椅子上，有些惊讶的看着林默。
他原本以为林默就是一个普通机械厂厂长，甚至还有点不屑于和他讨论如此高精尖点的芯片内容。
但是林默刚刚的一番话，完全打破了他的认知。
水平完全不逊色于他的同事，甚至是比他还要高上一些。
他抬起头看向林默，目光里带着一种莫名的疑惑。
“林厂长……您不是学机械工程的吗？也懂芯片？“
“懂一点点。“
林默笑呵呵点的摆了摆手，“平时没事的时候，喜欢看一些技术文献，国内外都看，尤其是半导体方向的东西。“
钱学明沉默了几秒钟，点了点头像：
“您刚才说的那三个问题，速度，栓锁效应以及制造工艺，确实都是目前cmos技术最大的瓶颈。“
说完，他坐直了身体，语气变得郑重起来：“但我认为，这些问题不是不可逾越的。”
“速度慢，可以通过缩小特征尺寸来降低延迟，未来到微米级，亚微米级的时候，cmos的速度瓶颈自然会被突破。”
“栓锁效应，可以通过优化阱设计和衬底接触来抑制。”
“至于制造工艺的困难，做芯片从来就没有简单过，nmos起步的时候良率也低得可怜，不也一样走过来了？“
钱学明眼神变得火热起来，语气里带着一种近乎宗教般的坚定。